Germaneen gedijt goed op halfgeleiderdrager

Onderzoekers van het Twentse Mesa+ Instituut hebben germaneen gegroeid op een substraat van molydbeensulfide. De grafeen-analoog werd eerder gesynthetiseerd, maar dan op een metallische ondergrond. Door de interactie met het metaal gaat de meest aantrekkelijke eigenschap van germaneen verloren: zijn bandgap, die nodig is om elektronische schakelaars te maken. Op de 2d-halfgeleider molybdeendisulfide blijft de bandgap wel behouden. Uit berekeningen blijkt dat een sandwich van germaneen tussen twee lagen molybdeendisulfide een nog gunstiger bandgap oplevert.