Imec presenteert sub-10-nm-innovaties

Deze week heeft Imec twee procestechnologische innovaties onthuld die toekomstige chipgeneraties mogelijk maken. Het gaat om een sub-10-nanometer-transistor van germanium en om SiGe-source/drain-contacten met een uitzonderlijk lage contactweerstand.

De nieuwe transistor is een p-fet van het type gate-all-around en de eerste in zijn soort die is geschaald tot onder de tien nanometer. De keuze viel op germanium vanwege de hoge mobiliteit die gaten erin genieten. Door de grotere permittiviteit en kleinere bandgap is elektrostatische controle echter een grotere uitdaging voor dit materiaal. Onder meer met een anneal onder hoge druk heeft Imec daar een oplossing voor gevonden.

De contactweerstand van source en drain is ook een kritiek punt voor diepgeschaalde ic’s. Omdat hun oppervlak zo klein is, dreigen parasitaire effecten het functioneren van de schakelaars in het honderd te laten lopen. Door gallium te implanteren in SiGe en daarna te laserannealen, bereikten Imec en partners echter een ultralage contactweerstand van minder dan 10-9 ohm per vierkante centimeter.