Technieuws

Supersnel nanodraadgeheugen uit de VS

Paul van Gerven
Reading time: 2 minutes

Onderzoekers van de University of Pennsylvania hebben een geheugen ontwikkeld dat flash het nakijken geeft. Hun opslagmedium, gemaakt van anorganische nanodraden, is duizend keer sneller dan het conventionele geheugentype en verbruikt minder energie. Daarnaast is het in staat data 100 duizend jaar op te slaan. De kers op de taart is de dichtheid, die vele malen hoger ligt dan de huidige generatie flashchips. Het gaat echter nog wel om zeer experimentele technologie die het laboratorium nog niet uit is.

Het Amerikaanse concept is een variant op het faseveranderingsgeheugen waar onder andere Intel-ST joint venture Numonyx aan werkt. In dit vooralsnog experimentele type chip vormt de kristallografische toestand van kleine domeintjes aan materiaal de basis voor het opslaan van informatie. Een kristallijnen stof heeft namelijk in de regel een andere elektrische weerstand dan zijn amorfe broertje. Het meten van de weerstand geeft daarom de uitkomst ’hoog‘ of ’laag‘. Die laat zich vertalen naar nullen en enen. Het schakelen tussen de kristallijnen en amorfe fase gaat via eenvoudige verwarmings- en koelingssequenties.

Het onderzoeksteam van Ritesh Agarwal gebruikte een legering van germaniumantimoontellurium, een faseveranderingsmateriaal met de prettige eigenschap dat het onder de juiste omstandigheden zichzelf in draadjes organiseert. Het zogenaamde zelf-assemblageproces levert strengen van dertig tot vijftig nanometer in diameter (tot honderd atomen dik) en tien micrometer lang. Met die draden maakten de onderzoekers vervolgens geheugenstructuren op een silicium substraat. Ze hoefden daarom minder sterk op conventionele lithografiestappen te leunen.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one and enjoy all the benefits.

Login

Related content