Zelfassemblage levert sub-10-nanometerpatroon op

Onderzoekers van MIT hebben een lijnpatroon met een half-pitch van 9,3 nanometer geproduceerd met behulp van directed self-assembly (dsa). Bij deze techniek worden de zelforganiserende eigenschappen van blokcopolymeren bijgestuurd, meestal door de ondergrond voor te bewerken. Dit is niet anders in het recente werk van MIT, maar zij voegden een nieuw element toe: een toplaag.

De Amerikanen patroneerden eerst met conventionele lithografische technieken een vlakke ondergrond in ‘dikke’ lijnen met materialen die verschillende chemische affiniteiten hebben. Daarop kwam het blokcopolymeer, en daarop weer een coating via dampdepositie. Ingeklemd tussen twee oppervlakken organiseert het blokcopolymeer zich in lijnen die vier keer dichter zijn dan het originele patroon. De toplaag kan nadien eenvoudig worden verwijderd.

De methode is mogelijk interessant voor chipproductie. Een van de bekende problemen met dsa is het aantal defecten.