Halfgeleiderfabrikanten moeten rekening houden met een prijskaartje van ruim tweehonderd miljoen euro voor de volgende generatie euv-machines. Dat heeft ASML-ceo Peter Wennink woensdag gezegd tegen analisten. Hij verwacht de eerste zogenaamde high-NA-tools halverwege het volgende decennium te gaan leveren.
De maximaal haalbare resolutie van een lithografische scanner is evenredig met de golflengte en omgekeerd evenredig met de numerieke apertuur (NA), ook wel lensopening. Dus: groter de NA, hoe kleiner de structuurtjes die op de wafer kunnen worden geprojecteerd. De huidige generatie euv-scanners heeft een NA van 0,33, in de volgende generatie beoogt ASML dat te verhogen naar minimaal 0,5. Hoe, dat legt cto Martin van den Brink in dit interview uit.
Wennink vertelde dat hij na uitgebreide discussies over het ontwerp en de gewenste performance van de machine groen licht heeft gekregen van zijn klanten. ‘Zij willen dat we dit gaan doen. We bespreken nu onder welke voorwaarden we de eerste r&d-tools verschepen, en hoe snel we daarna onze productie opschalen’, aldus de topman.
De high-NA-machine zal weer een slag groter en zwaarder uitpakken dan de huidige euv-systemen. Hij zal daarom niet noodzakelijkerwijs in een huidige fab kunnen staan. Dat hoeft geen probleem te zijn, zei Wennink: de huidige euv-tool paste ook niet in een fab die vijf jaar geleden werd gebouwd.
