Paul van Gerven
30 May 2017

Onderzoekers van het Spaanse Institute of Photonic Sciences (ICFO) zijn erin geslaagd om een cmos-beeldsensor te maken die behalve voor zichtbaar licht ook gevoelig is voor infrarood en uv-licht. Door een cmos-circuit monolithisch te integreren met grafeen en quantumdots, verkregen ze een golflengtebereik van driehonderd tot tweeduizend nanometer.

Hoewel integratie van cmos met andere halfgeleiders dan silicium tot nu toe problematisch is gebleken, waren er voor de sensor geen exotische fabricagetechnieken nodig. De quantumdots van loodsulfide werden op vellen grafeen gedeponeerd en dit geheel werd overgebracht op een cmos-wafer met de sensordies en uitleescircuits.

De onderzoekers denken dat hun grafeen-cmos-technologie een breed aantal toepassingen ontsluit, zoals branddetectie, beveiliging, medische beeldvorming en productie-inspectie.