Cornell, Dupont onderdrukken metallische geleiding in nanobuizen

Onderzoekers van de Amerikaanse universiteit Cornell en chemiebedrijf Dupont hebben een halfgeleidende inkt ontwikkeld op basis van koolstofnanobuizen. Dankzij een geperfectioneerde chemische nabehandeling worden metallisch geleidende nanobuizen omgezet in halfgeleidende. Bij de synthese ontstaan beide typen, hetgeen grootschalige toepassing van de nanostaafjes in de halfgeleiderindustrie tot nu toe verhinderde.

De nabehandelde films van de koolstofinkt hebben een elektronenmobiliteit van 100 cm²/Vs, een factor tien hoger dan de gemiddelde organische halfgeleider waarmee de buisjes zich moeten meten. In een volgende stap zeggen de onderzoeker deze eigenschap te willen uitbuiten in werkende geprinte transistoren en zonnecellen.