Geen III-V-materialen, geen kwantumputten, maar ‘gewoon’ een nieuwe generatie silicium finfets. De 10-nanometerchips die Intel later dit jaar in productie neemt en waarover het gisteren voor het eerst details onthulde, bevatten geen fundamenteel nieuwe elementen. Wel zijn de chips agressiever geschaald dan recente generaties, zodat eerdere vertragingen op de wet Moore weer zijn goedgemaakt. Dit ondanks het feit dat er drie jaar tussen Intels 14- en 10-nanometergeneratie zit, in plaats van de twee jaar waar de markt gewend aan was geraakt.
Met 100,8 miljoen logic-schakelaars per vierkante millimeter claimt Intel dat zijn 10-nanometerchips een volle generatie voorliggen op wat foundry’s 10 nanometer noemen. De vraag is echter hoe relevant deze logic-dichtheid is, omdat een processor meer aan boord heeft, zoals sram en io. Ook wordt dichtheid tegenwoordig steeds meer afgewogen tegen performance en/of energieverbruik. Maar waar Intel zijn transistordichtheid uitgebreid vergeleek met ‘anderen’, deed het dat niet voor power en performance.
Opvallend genoeg is de eerste iteratie van Intels 10-nanometergeneratie niet sneller dan de derde iteratie 14-nanometerchips (14++), maar wel zuiniger. Pas de zogenaamde 10+- en 10++-versies zullen nieuwe snelheidsrecords zetten.