Onderzoekers van de Rijksuniversiteit Groningen en de Stichting Fom zijn erin geslaagd om met behulp van een warmtestroom een deel van het magnetisch moment (spin) van een magneet over te brengen naar een ander, niet-magnetisch metaal. Oftewel: zij hebben een MRam-geheugenelement beschreven met een warmtestroom.
MRam geldt als potentieel ’universeel‘ geheugen, dat de dichtheid van DRam combineert met de snelheid van SRam en net als flash zijn informatie behoudt wanneer de stroom eraf gaat. De ontwikkeling liep echter averij op toen getracht werd het te schalen tot onder het 90-nanometerknooppunt: het bleek onmogelijk om voldoende elektrisch veld te genereren om spins te manipuleren. Onderzoekers hoopten dat probleem te omzeilen door een spingepolariseerd stroompje te gebruiken, maar daartoe bleek nog een hoop research nodig.
De Groningers presenteren een alternatief dat in plaats van, maar ook in combinatie met, elektrisch beschreven geheugen kan worden uitgelezen. Elektrisch beschrijven produceert immers een boel warmte. Zij publicereerden hun werk in Nature Physics en Physical Review Letters.