Hewlett-Packard en Hynix Semiconductor gaan samen materiaalonderzoek doen en procestechnologie ontwikkelen om een resistive Ram (RRam) gebaseerd op de memristor op de markt te brengen. HP is niet van plan om zelf in de geheugenbusiness te stappen, maar hoopt RRam wel te kunnen toepassen. De niet-exclusieve deal met Hynix moet in 2013 al commercieel resultaat opleveren, zoals eerder beloofd.
De memristor werd theoretisch al beschreven in 1971, maar HP zegt hem in 2008 voor het eerst in fysieke vorm gerealiseerd te hebben. Op die claim valt veel af te dingen, omdat eerder al systemen gefabriceerd waren die het vereiste gedrag vertoonden. Karakteristiek voor een memristor is dat de weerstand afhangt van hoeveel stroom erdoorheen is gelopen. Hij ’onthoudt‘ dus als het ware hoeveel lading er is gepasseerd.
Ook Imec heeft een programma lopen om RRam te ontwikkelen. Daar zijn vijf grote geheugenfabrikanten bij betrokken, waaronder Hynix.