Paul van Gerven
1 maart

Imec en het Amerikaanse Kmlabs zetten een gezamenlijk lab op om high-na-euv-lithografie een vliegende start te geven. Door een euv-bron van Kmlabs aan te sluiten op ASML’s NXE:3400B-scanner in Imecs cleanroom kunnen met behulp van interferentielithografie high-na-belichtingen worden gesimuleerd. Het Leuvense instituut denkt op 300 millimeter wafers structuren met een pitch van 8 nanometer af te kunnen beelden – afstanden die nog in geen enkele halfgeleiderroadmap zijn opgenomen.

De samenwerking richt zich daarnaast op bestudering van de chemie in de fotolak na een euv-belichting. De absorptie van euv-fotonen en de daarop volgende ionisatieprocessen – die zich afspelen op een tijdschaal van attoseconden – zijn nog goeddeels onbegrepen, wat verdere verkleining van chipstructuren in de weg zit. ‘Wij voorzien dat fundamenteel inzicht in materiaaleigenschappen de weg vrijmaakt voor ontwikkeling van nieuwe lithografische materialen’, schrijven Imec en Kmlabs in een persbericht.

Imec en ASML kondigden eind vorig jaar de oprichting van het Advanced Patterning Center aan. Dit centrum zal de eerste high-na-tool van ASML installeren, zoals meer dan tien jaar geleden ook een euv-alfatool in de Leuvense cleanroom werd geplaatst.