Paul van Gerven
28 February 2017

Op de SPIE Advanced Lithography-conferentie, deze week in San Jose, presenteert Imec twee euv-opties voor de patronering van metaallagen M1 en M2 van 5-nanometerchips (volgens de foundry-definitie). Deze lithografisch gezien meest complexe lagen kunnen met immersiescanners alleen met triple- en quadruple-patterningtechnieken worden vervaardigd. In Imecs behoudende scenario wordt multipatterning niet geheel over boord gekieperd, maar het aantal belichtsstappen – en dus de kosten per wafer – wel gereduceerd door inzet van euv. Het andere scenario levert nog meer winst op door alle multipatterning-stappen te vervangen door twee euv-belichtingen, maar deze techniek is lastiger te implementeren, waarschuwt Imec.