De horizontale nanodraadtransistor op basis van germanium is een serieuze kandidaat om de finfet op te volgen, concludeert Imec op basis van nieuwe onderzoeksresultaten die deze week worden gepresenteerd.
In de nanodraadtransistor omgeeft de gatestack het stroomkanaal volledig, zodat de stroom goed kan worden afgeknepen. Omdat de doorsnede van een nanodraad aanzienlijk kleiner is dan die van een finfet-stroomkanaal, moeten er echter additionele maatregelen worden genomen om voldoende stroom te laten lopen.
Eén oplossing is om silicium te vervangen door strained germanium, waar elektronen makkelijker doorheen bewegen, en meerdere nanodraden per transistor te gebruiken, verifieerde Imec. Ook met één nanodraad lukt het echter om finfet-performance te evenaren, blijkt uit een andere Leuvense studie.
‘Deze complementaire studies bewijzen dat nanodraadtechnologie een serieuze optie is om de schaling te realiseren die nodig is voor de gigantische rekenkracht waar het data-gedreven iot-tijdperk om vraagt’, zegt executive vicepresident An Steegen van Imec.
Nanodraadtransistoren debuteren op zijn vroegst in 5-nanometertechnologie. Samsung maakte eerder bekend voor zijn 3-nanometerchips geen nanodraden maar nanosheets van silicium te gaan gebruiken.
