Paul van Gerven
7 March 2017

Imec heeft een InGaAs-tunnelfet ontwikkeld met een sub-threshold swing (ss) van minder dan zestig millivolt per decade. Omdat dergelijke schakelaars kunnen worden gevoed met ultralage spanningen (minder dan 0,5 volt) ‘vinden ze waarschijnlijk hun weg naar ultralaagvermogenstoepassingen, zoals iot-applicaties’, stelt Imec-onderzoeker Nadine Collaert. In de toekomst worden voor verschillende applicaties waarschijnlijk verschillende chiptechnologieën gemaakt.

De ss duidt aan hoeveel extra spanning er nodig is om tien keer meer stroom in de transistor te laten lopen – in essentie: hoe makkelijk ze tussen ‘aan’ en ‘uit’ schakelen. In een mosfet is de minimale waarde bij kamertemperatuur zestig millivolt per decade, waaraan een minimumvoedingsspanning is verbonden. Omdat tunnelfets geen reguliere maar een tunnelstroom moduleren, kunnen ze daaronder duiken en dus met lagere voedingsspanningen overweg.