Intel bouwt transistoren van indiumantimoon

Wetenschappers van Intel en Qinetiq zijn erin geslaagd een transistor te bouwen met het materiaal indiumantimoon (InSb). De prototype schakeling is heel snel en verbruikt maar weinig vermogen. De gatelengte bedraagt slechts 85 nm. Dat is ongeveer de helft van eerder gebouwde varianten. Ook de werkspanning van 0,5 volt is beduidend lager dan die in bestaande chips. ‘s Werelds grootste chipfabrikant verwacht veel van de nieuwe technologie. ’De resultaten van dit onderzoek versterken ons vertrouwen dat we ook na 2015 de wet van Moore kunnen blijven volgen. We denken dat het nieuwe materiaal siliciumgebaseerde halfgeleiders in de toekomst kan verbeteren‘, aldus Ken David, onderzoeksdirecteur bij Intels Technology and Manufacturing-groep. ’Indiumantimoon brengt de prestaties met een factor twee omhoog terwijl tegelijk het energieverbruik met grofweg 10 procent vermindert. Het III-IV-materiaal geeft ons verder de flexibiliteit om in de toekomst te optimaliseren voor performance en vermogen.‘