15 February 2018
Zowel Intel als Samsung hebben op de ISSCC in San Francisco een 10-nanometer-sram beschreven waarvan een aantal lagen zijn gemaakt met behulp van euv-lithografie. Dat meldt EE Times vanaf de prestigieuze chipconferentie. Het is gebruikelijk in de halfgeleiderindustrie om nieuwe processen te testen door srams te maken. Het is de laatste stap voor opschaling naar volumeproductie. ‘Nu we werkend silicium hebben, zijn onze twijfels over productie verminderd’, zei Samsungs spreker. De Koreaanse chipfabrikant wil volgend jaar euv-productie van 7-nanometerchips gaan draaien. Intel heeft zijn plannen nog niet geopenbaard.