Paul van Gerven
12 October 2011

HP en Hynix liggen op schema om over zo‘n maand of achttien een op de memristor gebaseerde rivaal voor flashgeheugen op de markt te brengen. Dat heeft toponderzoeker Stan Williams van HP Labs gezegd op het Internationaal Electronics Forum in Sevilla. In 2014 en 2015 willen de partners het vizier richten op DRam en zelfs op SRam.

De memristor is een van de vier tweepolige basiscomponenten. In tegenstelling tot de condensator, spoel en weerstand bestond hij echter slechts op papier sinds hij in 1971 werd gepostuleerd door Leon Chua. Williams claimt als eerste memristorgedrag in een fysiek device herkend te hebben, namelijk in een oxidelaagje ingeklemd tussen twee elektroden. Zoals een memristor betaamt, verandert de weerstand daarvan als functie van de hoeveelheid stroom die erdoorheen is gelopen.

Het ligt voor de hand om de memristor als geheugen te gebruiken. Vanwege het simpele ontwerp – een oxide tussen kruislings gelegde elektrodedraadjes – en de veelbelovende prestaties zijn veel geheugenmakers erop gedoken. HP en partner Hynix zijn echter de enige die spreken van een memristor; de meeste andere bedrijven duiden het aan als RRam voor resistive Ram.

HP‘s memristorgeheugen kan met gemak flash aan, zei Williams op de conferentie in Spanje. Op benchmarks als de lees- en schrijfsnelheid, dataretentie en benodigde energie om een bit te veranderen zou de memristor allemaal beter scoren, terwijl de productiekosten een ordegrootte lager zouden liggen, opstartkosten niet meegerekend. Met wat extra inspanning zouden zelfs DRam en SRam verslagen kunnen worden.

 advertorial 

The waves of Agile

Derk-Jan de Grood has created a rich source of knowledge for Agile coaches and leaders. With practical tips to create a learning organization that delivers quality solutions with business value. Order The waves of Agile here.

Details over de opbouw van het device, de gebruikte materialen en de procestechnologie wilde de HP-onderzoeker echter niet prijsgeven.