Paul van Gerven
6 October 2008

Toshiba heeft met nano-imprintmachines van Molecular Imprints (MI) structuren van 18 nanometer geproduceerd. Met een critical dimension uniformity van minder dan 1 nanometer, een line-edge roughness van minder dan 2 nanometer en een defectdichtheid van 5 tot 0,3 stuks per vierkante centimeter komt nano-imprintlithografie daarmee in de picture voor het 22-nanometerknooppunt, vindt CEO Mark Melliar-Smith van MI. ’Het defectniveau is in dezelfde orde van grootte als toen immersielithografie op het punt van ingebruikname stond‘, zegt hij in Solid States Technology‘s Wafernews.

Bij de claim van Melliar-Smith hoort een vet vraagteken. De behaalde overlay bedraagt namelijk 20 nanometer, veel meer dan acceptabel voor de halfgeleiderindustrie. De CEO wijst echter op de ’razendsnelle‘ vooruitgang die op dat gebied is geboekt. ’Wij willen een hoogvolumetool gereed hebben die voldoet aan alle eisen wanneer de halfgeleiderindustrie die nodig heeft‘, aldus de Amerikaan, verwijzend naar de twijfels die sommigen hebben aan het op tijd klaarkomen van EUV-lithografie voor 22-nanometerchips. EUV is veel risicovoller dan nano-imprintlitho, denkt hij.

MI presenteert nano-imprint al langer als EUV-concurrent, maar vooralsnog slaagt het bedrijf er niet in chipproducenten aan zich te binden. Alleen Toshiba neemt de technologie uiterst serieus voor geheugenproductie. MI vindt wel ingang in de harddiskmarkt.