Samsung schuift voor 3-nanometerchips de finfet-structuur terzijde ten gunste van de multi-bridge-channel-transistor (MBC-fet), Samsungs eigen variant van zogenaamde gate-all-around-schakelaars (GAA). Dat heeft de chipfabrikant vorige week onthuld op een roadmap-event in Santa Clara. Oorspronkelijk wilde Samsung GAA overigens al in 4-nanometerchips toepassen. Andere chipmakers ontwikkelen vergelijkbare technologie, maar hebben nog niets losgelaten over wanneer ze die gaan toepassen in productie.
De GAA lijkt op de finfet, maar in plaats van één stroomkanaal wordt de stroom door meerdere ‘pijpjes’ geleid, elk volledig omgeven door het gatediëlektricum. Dat verbetert de elektrostatische controle over de transistor en biedt ruimte om de gatestructuur iets sterker te schalen. In Samsungs MBC-fet worden silicium nanosheets als stroomkanaal gebruikt, waar bijvoorbeeld Imec met nanodraden werkt.
Een slag radicaler is de verticale GAA-transistor, waarbij het stroomkanaal loodrecht op het waferoppervlak staat. Imec en Unisantis Electronics uit Singapore maakten woensdag bekend ‘significante vooruitgang’ te hebben gemaakt in de ontwikkeling van dit type transistor. Experimenten met verticale 5-nanometer-GAA-transistoren wijzen uit dat ze twintig tot dertig procent minder ruimte innemen dan het horizontale equivalent en toch beter presteren.