Wat voor de zomer nog onwaarschijnlijk leek, wordt nu toch bewaarheid: Samsung wil eind 2018 euv in productie toepassen. De Koreanen gaan in tegenstelling tot rivalen TSMC en Intel geen 7-nanometerchips met immersielithografie maken en wagen direct de sprong in het diepe. TSMC heeft euv pas op de planning staan voor het 5-nanometerknooppunt, dat in 2019 op stoom komt. EE Times haalt een bron aan dat Intel de hoop heeft opgegeven dat euv op tijd klaar is om zijn 7-nanometerchips met euv-machines te patroneren, maar een mid-node insertion zou tot de mogelijkheden behoren (nota bene: Intels 7 nanometer is geavanceerder dan die van Samsung en TSMC).
Samsung wil bovendien de eerste zijn met 10-nanometer-socs, gemaakt met triple patterning, die nog voor het eind van het jaar verscheept moeten worden. Dat wordt echter een nek-aan-nek-race met TSMC, dat er een vergelijkbare planning op nahoudt. Globalfoundries hobbelt een beetje achter de grote drie aan, maar wil 10 nanometer overslaan en direct van 14 naar 7 nanometer springen (met triple patterning). 7 nanometer zal naar verwachting een zogenaamd langlevend knooppunt zijn.