Onderzoekers van de Harvard School of Engineering and Applied Sciences beschrijven in Nature Communications een transistor die zijn geleidbaarheid aanpast aan de spanning die er eerder op stond. Het ontwerp zou geschikt zijn om neuromorfische circuits te maken. De sterkte van verbindingen tussen hersencellen verandert onder invloed van communicatie: hoe vaker en intensiever er gecommuniceerd wordt, hoe sterker de verbinding wordt.
De onderzoekers gebruiken twee platina elektroden met daartussen gesandwhiched een 80 nanometer dik laagje van het materiaal samariumnikkelaat (SmNiO3). Dit materiaal wisselt onder invloed van een elektrisch veld wisselen tussen metaal en isolator. Het geheel ligt tegen een compartiment gevuld met een ionische vloeistof aan. Onder invloed van een spanning migreren zuurstofionen van de vloeistof naar het samariumnikkelaat of omgekeerd. Daardoor verander de geleidbaarheid en onthoudt de structuur zijn toestand.
Het ontwerp is gemaakt in een silicium chip en de onderzoekers denken dat de techniek goed te integreren is met reguliere chipproductie. Er is wel een nadeel: de technologie werkt alleen bij kamertemperatuur of hoger.