Mesa+ combineert transistor en geheugen

Onderzoekers van het Mesa+-instituut voor nanotechnologie zijn erin geslaagd transistoren uit te rusten met een magnetische geheugenlaag. Daarmee brengen ze twee werelden nader tot elkaar: die van de dataopslag en die van de rekenkracht. De ontwikkeling van flashgeheugen had daar al flink aan bijgedragen, aangezien de dataopslag daarmee in het elektronische domein terechtkwam. Promovendus Byoung-Chul Min en zijn begeleider Ron Jansen laten nu zien dat ook magnetische technologie, traditioneel veel gebruikt als basis voor opslagmedia, met elektronica is te combineren. Op termijn willen ze energiezuinige schakelingen maken met nieuwe functionaliteit.

Het was al eens gelukt om een magnetische laag aan te brengen op transistoren, maar die waren niet gemaakt van silicium. ’Wij hebben laten zien hoe het komt dat silicium zich niet zo makkelijk laat combineren met de magnetische laag. Er ontstaat namelijk een barrière tussen beide materialen. uitwisseling van informatie loopt daar op stuk‘, aldus Jansen.

De barrière is in feite een enorme weerstand. Die is een factor 100 miljoen te hoog om elektronen tussen beide laagjes uit te wisselen. Gewapend met die kennis zijn de onderzoekers op zoek gegaan naar een materiaal om tussen de magneet en het silicium te sandwichen. Daarmee dachten ze de informatie-uitwisseling te kunnen stimuleren.